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机译:硅注入对外延GaN层的损害
Tan, HH; Williams, JS; Zou, J; Cockayne, DJH; Pearton, SJ; Stall, RA;
机译:硅上嵌入的外延硅锗层的注入损伤和应变松弛
机译:原位碳掺杂对硅上外延硅锗层注入损伤和应变弛豫的影响
机译:通过将Mg离子注入形成在高质量自支撑GaN衬底上的n〜-GaN外延层中形成确定的GaN p-n结
机译:在Si中生长的Mg植入GaN层中植入损伤的热量演变
机译:硅锗和硅锗碳外延层的电子和材料表征。
机译:290-MeV 238U32 +离子辐照对Al2O3上的外延GaN层的损害
机译:外延GaN薄膜的离子注入:损伤,掺杂和活化
机译:通过在掩埋氧化物膜上形成多晶硅层,并将杂质注入第二硅外延层和多晶硅层中以形成源/漏区,来制造半导体器件
机译:在硅(100)晶圆上外延生长GaN层
机译:制造商用于微电子IC的绝缘单晶硅岛-通过氧注入掺杂的单晶硅区域,沉积外延硅层,形成沟槽,在硅晶片上形成掩模等。
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